半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：端側(cè)大模型近存計(jì)算，定制化存儲(chǔ)研究框架.pdf

7積分
2025/02/21
269
中郵證券

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：端側(cè)大模型近存計(jì)算，定制化存儲(chǔ)研究框架。大模型賦能端側(cè)AI。在人工智能的飛速發(fā)展中，大型語言模型（LLMs）以其在自然語言處理（NLP）領(lǐng)域的革命性突破，引領(lǐng)著技術(shù)進(jìn)步的新浪潮。自2017年Transformer架構(gòu)的誕生以來，OpenAI的GPT系列到Meta的LLaMA系列等一系列模型崛起。這些模型傳統(tǒng)上主要部署在云端服務(wù)器上，這種做法雖然保證了強(qiáng)大的計(jì)算力支持，卻也帶來了一系列挑戰(zhàn)：網(wǎng)絡(luò)延遲、數(shù)據(jù)安全、持續(xù)的聯(lián)網(wǎng)要求等。這些問題在一定程度上限制了LLMs的廣泛應(yīng)用和用戶的即時(shí)體驗(yàn)。正因如此，將LLMs部署在端側(cè)設(shè)備上的探索應(yīng)運(yùn)而生，不僅能夠提供更快的響應(yīng)速度，還能在保...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體端側(cè)大模型近存計(jì)算

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：多相電源是增量藍(lán)海市場(chǎng)，看好國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇.pdf

3積分
2025/02/06
267
國(guó)信證券

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：多相電源是增量藍(lán)海市場(chǎng)，看好國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇。多相控制器+DrMOS的多相電源是XPU主流供電技術(shù)。多相控制器與XPU通過協(xié)議通信，不同XPU廠商具有不同的協(xié)議，比如英特爾的SVID、AMD的SVI2/3、英偉達(dá)的OVR、基于ARM芯片的AVS等。DrMOS是英特爾2004年推出的一種高效節(jié)能技術(shù)，將驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET上下管集成到同一封裝中，不僅顯著減小面積，還極大降低由多個(gè)元件帶來的寄生參數(shù)，顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率。DrMOS主要有兩種方案：1）驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET在不同晶圓上生產(chǎn)，最后合封在一起，稱為合封DrMOS；2）驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET在同一個(gè)Die上制造，稱為單...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體多相電源

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：大國(guó)博弈背景下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)與變革.pdf

5積分
2025/01/13
659
平安證券

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：大國(guó)博弈背景下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)與變革。行業(yè)綜述：半導(dǎo)體被稱為“工業(yè)糧食”，行業(yè)雖然會(huì)經(jīng)歷周期波動(dòng)，但長(zhǎng)期來看，行業(yè)規(guī)模穩(wěn)步向上，且破千億的步伐越來越快。WSTS預(yù)測(cè)2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將同比增長(zhǎng)19.0%，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到6270億美元，“六千億美金”在望。集成電路產(chǎn)業(yè)鏈很長(zhǎng)，分為設(shè)備&材料、設(shè)計(jì)、制造及封測(cè)等環(huán)節(jié)，其中IC設(shè)計(jì)、制造等是利潤(rùn)核心環(huán)節(jié)。行業(yè)特點(diǎn)包括“硅周期”和經(jīng)濟(jì)周期疊加、下游應(yīng)用持續(xù)迭代、存在“牛鞭效應(yīng)”帶來的過剩和短缺等。“摩爾定律...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 EDA

半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)專題報(bào)告：CoWoS五問五答.pdf

3積分
2025/01/09
451
東興證券

半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)專題報(bào)告：CoWoS五問五答。Q1:CoWoS是什么？CoWoS嚴(yán)格來說屬于2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)，由CoW和oS組合而來：先將芯片通過ChiponWafer（CoW）的封裝制程連接至硅晶圓，再把CoW芯片與基板（Substrate）連接，整合成CoWoS。核心是將不同的芯片堆疊在同一片硅中介層實(shí)現(xiàn)多顆芯片互聯(lián)。CoWoS自2011年經(jīng)臺(tái)積電開發(fā)后，經(jīng)歷5次技術(shù)迭代；臺(tái)積電將CoWoS封裝技術(shù)分為三種類型——CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L,不同類型在技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用有所區(qū)別。Q2：CoWoS的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)？CoWoS的目前具有：高度集成、高速...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體先進(jìn)封裝

半導(dǎo)體行業(yè)2025展望：AI熱潮將延續(xù).pdf

5積分
2024/12/18
631
招銀國(guó)際

半導(dǎo)體行業(yè)2025展望：AI熱潮將延續(xù)。投資主線一：人工智能。維持對(duì)行業(yè)長(zhǎng)期增長(zhǎng)的積極展望；在多輪投資周期中把握機(jī)會(huì)。2024年，人工智能產(chǎn)業(yè)鏈核心受益標(biāo)的表現(xiàn)亮眼，主要受益于算力基礎(chǔ)設(shè)施投資的大幅增加，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈AI相關(guān)業(yè)務(wù)收入實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。盡管一些投資人始終存有對(duì)AI發(fā)展可持續(xù)性的擔(dān)憂，我們依舊對(duì)該行業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展前景充滿信心。據(jù)彭博預(yù)測(cè)，美國(guó)三大云廠商（微軟/谷歌/亞馬遜）和Meta的資本支出總額將在2024年實(shí)現(xiàn)42%增長(zhǎng)，并于2025年再度增長(zhǎng)18%至2500億美元。全球云廠商、云計(jì)算公司、互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)、主權(quán)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)客戶均展現(xiàn)出對(duì)算力層面的大量需求。我們維持對(duì)AI行業(yè)長(zhǎng)期增長(zhǎng)的積極展望...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI

半導(dǎo)體行業(yè)HBM市場(chǎng)更新：HBM高端產(chǎn)品供不應(yīng)求時(shí)間或長(zhǎng)于預(yù)期.pdf

3積分
2024/11/26
446
華興證券

半導(dǎo)體行業(yè)HBM市場(chǎng)更新：HBM高端產(chǎn)品供不應(yīng)求時(shí)間或長(zhǎng)于預(yù)期。2024-27年期間，我們認(rèn)為HBM供不應(yīng)求局面將持續(xù)存在。美光科技或持續(xù)提升其在HBM市場(chǎng)的市占率。16層HBM4時(shí)代，HBM市場(chǎng)份額爭(zhēng)奪或愈發(fā)激烈。HBM供需分析。與市場(chǎng)觀點(diǎn)不同，我們認(rèn)為2024-27年HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）產(chǎn)品將供不應(yīng)求。2024-25年，我們預(yù)計(jì)AI直接拉動(dòng)的HBM需求量或達(dá)14.0億/23.6億吉字節(jié)（GB）。供給側(cè)，2024/25年底SK海力士、美光和三星電子三家合計(jì)的HBM供應(yīng)量達(dá)10.1億/20.1億GB。展望2026-27年，我們預(yù)計(jì)三家公司HBM供給或達(dá)34.1億/49.1億GB；而需求量受益...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 HBM

半導(dǎo)體行業(yè)研究報(bào)告：產(chǎn)業(yè)政策持續(xù)加碼，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)任重道遠(yuǎn).pdf

3積分
2024/11/19
455
光大證券

半導(dǎo)體行業(yè)研究報(bào)告：產(chǎn)業(yè)政策持續(xù)加碼，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)任重道遠(yuǎn)。光刻機(jī)：半導(dǎo)體制造業(yè)皇冠上的明珠。光刻機(jī)是光刻工藝的核心設(shè)備，主要由光學(xué)系統(tǒng)、機(jī)械系統(tǒng)和控制系統(tǒng)構(gòu)成。目前市場(chǎng)上的光刻機(jī)主要分為g-line、i-line、KrF、ArF、EUV五代迭代更新，五代光刻機(jī)的主要差異是光刻機(jī)的工藝節(jié)點(diǎn)，即限制成品所能獲得的最小尺寸。在光刻機(jī)的更新迭代中，對(duì)光源、光學(xué)透鏡、反射鏡系統(tǒng)提出了越來越高的要求。根據(jù)觀知海內(nèi)信咨詢，2020年全球光刻機(jī)市場(chǎng)規(guī)模為170.9億美元，預(yù)計(jì)2024年將達(dá)315億美元。ASML、Nikon和Canon三分天下，ASML壟斷高端EUV光刻機(jī)市場(chǎng)，Nikon、Canon占據(jù)中低端...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策光刻機(jī)

半導(dǎo)體行業(yè)研究：產(chǎn)業(yè)周期峰回路轉(zhuǎn)，內(nèi)生成長(zhǎng)步步高升.pdf

8積分
2024/10/30
508
東海證券

半導(dǎo)體行業(yè)研究：產(chǎn)業(yè)周期峰回路轉(zhuǎn)，內(nèi)生成長(zhǎng)步步高升。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究核心是周期性與成長(zhǎng)性雙重共振，當(dāng)前周期底部壓力較大，國(guó)產(chǎn)化動(dòng)力較為充足。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首先是一個(gè)周期行業(yè)，具備周期產(chǎn)業(yè)的價(jià)格、庫(kù)存、產(chǎn)能供給、終端需求等基本要素，價(jià)格與庫(kù)存是反映短期周期屬性的高頻關(guān)鍵指標(biāo)，終端需求是驅(qū)動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的關(guān)鍵，而產(chǎn)能供給與產(chǎn)能利用率是供給中長(zhǎng)期指標(biāo)。半導(dǎo)體過去4輪周期分別是7、3、3、4年，本輪周期頂部在2021年底，2023-2024行業(yè)在底部震蕩。此外，經(jīng)過長(zhǎng)期發(fā)展，已經(jīng)成為一個(gè)全球化的產(chǎn)業(yè)，以美歐日韓等發(fā)達(dá)國(guó)家在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上占據(jù)主導(dǎo)地位，我國(guó)產(chǎn)業(yè)發(fā)展相對(duì)緩慢，芯片進(jìn)口依賴程度很高，2023年進(jìn)...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：先進(jìn)封裝超越摩爾定律，晶圓廠和封測(cè)廠齊發(fā)力.pdf

5積分
2024/09/20
926
國(guó)信證券

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：先進(jìn)封裝超越摩爾定律，晶圓廠和封測(cè)廠齊發(fā)力。后摩爾時(shí)代，先進(jìn)封裝獲重視。一方面，當(dāng)前先進(jìn)芯片發(fā)展面臨“存儲(chǔ)墻”“面積墻”“功耗墻”和“功能墻”，僅依靠先進(jìn)制程無法解決，先進(jìn)封裝成為重要助力。另一方，隨著工藝制程進(jìn)入10nm以下，芯片設(shè)計(jì)成本快速提高。根據(jù)IBS的數(shù)據(jù)，16nm工藝的芯片設(shè)計(jì)成本為1.06億美元，5nm增至5.42億美元。同時(shí)，由于先進(jìn)制程越來越接近物理極限，摩爾定律明顯放緩，側(cè)重封裝技術(shù)的MorethanMoore路徑越來越被重視。根據(jù)Yole的預(yù)測(cè)，2023年全...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體先進(jìn)封裝摩爾定律

半導(dǎo)體行業(yè)先進(jìn)封裝專題報(bào)告：先進(jìn)封裝助力芯片性能突破，AI浪潮催化產(chǎn)業(yè)鏈成長(zhǎng).pdf

5積分
2024/09/09
502
德邦證券

半導(dǎo)體行業(yè)先進(jìn)封裝專題報(bào)告：先進(jìn)封裝助力芯片性能突破，AI浪潮催化產(chǎn)業(yè)鏈成長(zhǎng)。先進(jìn)封裝：超越摩爾定律，助力芯片性能突破。“后摩爾時(shí)代”芯片特征尺寸已接近物理尺寸極限，通過先進(jìn)封裝提升芯片整體性能或成為趨勢(shì)。先進(jìn)封裝具有小型化、輕薄化、高密度、低功耗、功能集成的優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于AI、高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域。先進(jìn)封裝包括四個(gè)關(guān)鍵要素：凸塊（Bump）、晶圓（Wafer）、重布線層（RDL）和硅通孔（TSV）技術(shù)：Bump聯(lián)通芯片與外部的電路，并能緩解應(yīng)力；Wafer充當(dāng)集成電路的載體；RDL連通XY平面的上電路；TSV則貫通z軸方向上的電路。CoWoS和HBM：相...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體先進(jìn)封裝芯片

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：模擬芯片公司如何穿越周期成長(zhǎng).pdf

4積分
2024/09/04
292
德邦證券

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：模擬芯片公司如何穿越周期成長(zhǎng)。復(fù)盤：德州儀器如何穿越周期成長(zhǎng)？1）業(yè)務(wù)維度：過去20年里，德州儀器經(jīng)歷了四輪科技周期，第一輪周期中，TI從繁雜的大集團(tuán)完成轉(zhuǎn)型，布局DSP和模擬相關(guān)產(chǎn)品；第二輪周期中，TI通過OMAP處理器大放異彩；第三輪周期中，TI走上專注模擬之路；第四輪周期中，TI依靠工業(yè)和汽車模擬芯片創(chuàng)下業(yè)績(jī)新高，并削減代理，強(qiáng)調(diào)成本控制與產(chǎn)品供應(yīng)能力；目前，站在新一輪周期的起點(diǎn)之上，我們看好AI、電車智能化及AIOT創(chuàng)新對(duì)模擬芯片的長(zhǎng)期需求。2）并購(gòu)維度：90年代以來，德州儀器完成近30次剝離與并購(gòu)，我們大致分為以下三大轉(zhuǎn)型期。1996年起“先破后立&r...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體模擬芯片

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，安徽集成電路崛起.pdf

4積分
2024/09/04
478
國(guó)元證券

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，安徽集成電路崛起。人工智能需求推動(dòng)將帶動(dòng)新一輪半導(dǎo)體增長(zhǎng)曲線。1）AI將成為半導(dǎo)體發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力，AI服務(wù)器需求井噴，汽車、PC和智能手機(jī)端側(cè)AI帶動(dòng)銷量增長(zhǎng)和硬件升級(jí)，將推動(dòng)半導(dǎo)體上行。2）AI技術(shù)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)變化，高算力要求帶動(dòng)算力芯片和存儲(chǔ)芯片需求增速高于其他芯片，占全球半導(dǎo)體銷售額比重持續(xù)提升。3）封裝領(lǐng)域：chiplet憑借良率高、成本低和便于計(jì)算核心“堆料”的優(yōu)勢(shì)滿足算力芯片的高性能要求，先進(jìn)封裝是實(shí)現(xiàn)chiplet互連的基礎(chǔ)，高算力需求將帶動(dòng)2.5D/3D封裝行業(yè)增長(zhǎng)。存儲(chǔ)領(lǐng)域：高性能存儲(chǔ)技術(shù)HBM是解...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)鏈

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：多板塊營(yíng)收復(fù)蘇，AI浪潮引領(lǐng)行業(yè)開啟景氣新周期.pdf

3積分
2024/07/18
332
開源證券

半導(dǎo)體行業(yè)專題報(bào)告：多板塊營(yíng)收復(fù)蘇，AI浪潮引領(lǐng)行業(yè)開啟景氣新周期。上游制造：消費(fèi)電子復(fù)蘇，AI拉動(dòng)先進(jìn)制程及CoWoS需求提升。晶圓代工環(huán)節(jié)，2024M6臺(tái)積電營(yíng)收同比維持增長(zhǎng)，公司2024Q2實(shí)際累計(jì)營(yíng)收6735.1億新臺(tái)幣，同比+40.07%，環(huán)比+13.64%，超越預(yù)測(cè)區(qū)間上限。據(jù)工商時(shí)報(bào)，法人預(yù)估公司2024Q2營(yíng)收超指引預(yù)期主要來自于HPC需求強(qiáng)勁；并且在智能手機(jī)與HPC需求強(qiáng)勁下，2024Q3保持維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。封測(cè)環(huán)節(jié)，日月光、力成2024M6營(yíng)收同比持續(xù)改善，日月光投控表示2024年為復(fù)蘇年份，預(yù)計(jì)上半年去化庫(kù)存，下半年有望加速成長(zhǎng)。此外，日月光、力成加速布局先進(jìn)封裝CoWoS...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI 消費(fèi)電子

半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備行業(yè)研究：半導(dǎo)體制造核心設(shè)備，國(guó)產(chǎn)化之典范.pdf

3積分
2024/07/03
555
平安證券

半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備行業(yè)研究：半導(dǎo)體制造核心設(shè)備，國(guó)產(chǎn)化之典范。刻蝕：半導(dǎo)體制造三大核心設(shè)備之一?？涛g主要負(fù)責(zé)去除特定區(qū)域的材料從而形成微小的結(jié)構(gòu)圖案，與光刻、薄膜沉積并稱為半導(dǎo)體制造三大核心設(shè)備，占半導(dǎo)體前道設(shè)備價(jià)值總量的22%，地位舉足輕重。等離子體干刻是目前刻蝕的主流方案，包括ICP和CCP兩大類，ICP可用于硅、金屬以及部分介質(zhì)刻蝕，CCP主要用于介質(zhì)刻蝕，兩者市占率平分秋色。隨著晶體管尺寸不斷縮小，對(duì)刻蝕的精準(zhǔn)度要求更高，原子層刻蝕（ALE）登場(chǎng)，其可以看做是ALD的鏡像過程，具備自停止屬性，刻蝕精度達(dá)單原子層級(jí)，已經(jīng)應(yīng)用于自對(duì)準(zhǔn)接觸等需原子級(jí)精密控制的工藝中，頗具潛力。格局：國(guó)產(chǎn)化之典范...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備

半導(dǎo)體行業(yè)分析報(bào)告：AI終端加速創(chuàng)新發(fā)展，關(guān)注上游產(chǎn)業(yè)鏈核心增量.pdf

3積分
2024/06/24
554
開源證券

半導(dǎo)體行業(yè)分析報(bào)告：AI終端加速創(chuàng)新發(fā)展，關(guān)注上游產(chǎn)業(yè)鏈核心增量。AI模型、AI應(yīng)用、AI硬件協(xié)同發(fā)展，加速推動(dòng)AI終端創(chuàng)新發(fā)展。AI應(yīng)用是基于AI大模型的基礎(chǔ)上，借助AI大模型開發(fā)的產(chǎn)品。從應(yīng)用方向來看，AI應(yīng)用產(chǎn)品百花齊放，可以應(yīng)用于AI聊天機(jī)器人、AI文本、AI圖像等方向；從普及程度看，AI應(yīng)用訪問量穩(wěn)中有升，AI應(yīng)用普及有望提速。AI模型是鏈接AI應(yīng)用和AI硬件的核心，海外AI大模型向著多模態(tài)、端側(cè)發(fā)展，國(guó)內(nèi)AI大模型正處于快速發(fā)展期，正加速追趕海外AI大模型。AI硬件是支持AI大模型及AI應(yīng)用的算力底座，目前各AI硬件廠商均已推出搭載算力的AI硬件，并持續(xù)向著提供高算力發(fā)展。AI終端...

標(biāo)簽：半導(dǎo)體 AI AI模型

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